産業技術総合研究所共同研究事業

Project

FLAP : 単結晶ダイヤモンド 成膜評価中

【MWCVD】マイクロ波プラズマCVD装置

ADD : 多結晶ダイヤモンド受託成膜 & 開発案件の対応!

【HFCVD】熱フィラメントCVD装置

ダイヤモンド成膜設備

Equipment

【MWCVD】マイクロ波プラズマCVD法

メリット

成膜速度が速い(Max10μm/時間)、不純物の混入が少ない

デメリット

Φ50mmがMax 凹凸品には不向き

【HFCVD】熱フィラメントCVD法

熱フィラメントCVD法によるダイヤモンド成膜時の写真
熱フィラメントCVD法によるダイヤモンド成膜時の写真

メリット

大口径品に対応可能・バッチ処理が可能、凹凸品に対応可

デメリット

成膜速度が遅い(Max2.0μm/時間2021年現在)

ダイヤモンドの特性・応用と物性値

Spec

単結晶ダイヤモンドの特性・応用

単結晶ダイヤモンドの特性・応用
最も硬く、熱伝導率が高く、究極の半導体材料!

単結晶ダイヤモンドの物性値

項目単位
硬度10000(kgf/mm2)
密度3.5(g/cm3)
熱伝導性600~2000(W/m・k)
熱膨張係数1.1(×10-6/K)
音速18000(m/s)
ヤング率1050GPa
屈折率2.4
誘電率5.7
バンドキャップ5.5(eV)
絶縁破壊電界56(105 V/cm)
移動度(電子)4500(cm2/Vs)
移動度(ホール)3800(cm2/Vs)

FLAPで 現在、単結晶ダイヤモンドの優れた特性を
応用できるよう成膜評価を進めています。